炭化ケイ素セラミックボード
一般的な陶磁器やセラミック製品の焼成（1,450度以下）に使用される炭化ケイ素セラミックボードは、SiCを酸化ケイ素（Si2O3）で結合させたもので、専門的には「Oxide Bonded Silicon Carbide」と呼ばれています。
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製品説明
序章
一般的な陶磁器やセラミック製品の焼成（1,450度以下）に使用される炭化ケイ素セラミックボードは、SiCを酸化ケイ素（Si2O3）で結合させたもので、専門的には「Oxide Bonded Silicon Carbide」と呼ばれています。
技術パラメータ
典型的な品質分析 |
| 酸化物結合 |
SiC（O-SiC） | ||
最大。 使用温度(度) | 1450 | |
化学組成SiC (パーセント) | 90 | |
SiO2 | 8 | |
見かけの気孔率 (パーセント) | 7-8 | |
かさ密度 (g/cm3) | 2.75 | |
破断係数 | 50 | |
室温で (Mpa) | ||
1400度 | 55 | |
熱膨張 | 4.2-4.8 | |
1000 度 (10-6K-1) | ||
熱伝導率 | 13.5-14.5 | |
1000 度 (W / mK) |
製品の利点
このSiC耐火物は、熱伝導率が非常に高く（ムライト耐火物の約10倍）、長波長赤外線の放射率が高く、製品に非常に高い熱効率をもたらします。
一般的な陶磁器や陶磁器製品の焼成にコストパフォーマンスを考えると、このOxide Bonded SiCが最も価値があり、適した耐火物です。
生産設備
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